p型掺杂相关论文
石墨烯作为一种单层碳原子纳米材料，其平面内碳原子以sp~2电子轨道杂化形成二维蜂窝状晶体结构，厚度仅有0.34 nm,具备优异的光电性能......
二维材料的异军突起使其在电子及光电子等领域表现出巨大的应用潜力,其中具有超宽带隙的六方氮化硼的研究更加成为焦点。本论文从......
基于第一性原理的平面波超软赝势法对(6,0)单壁氮化铝纳米管、Ag掺杂,以及Ag和O共掺纳米管进行了几何结构优化.计算讨论了掺杂前后......
以二硫化钼（MoS2）为代表的过渡金属硫属化合物（TMDs）,是研究最广泛的层状二维半导体材料体系。它们具有原子级别的厚度、良好的柔韧性......
空穴传输材料在钙钛矿型太阳能电池中起着重要的作用.目前使用最多的是spiro-OMeTAD.然而，没有掺杂的spiro-OMeTAD具有较低的电导率......
介绍几种ZnO和ZnMgO薄膜的p型掺杂方法和所制备的ZnO基p-n结,实现了其电注入发光。并对这些ZnO基p-n结的电注入发光特性进行了研究......
本实验采用N+离子注入ZnO 薄膜，ZnO 薄膜用直流反应磁控溅射法制备。经快速热处理（RTP）后，通过XRD，AFM，UV-VIS-NIR 分光光度计等比较了N+......
本文深入分析了高电子迁移率InN的外延生长,采用边界温度外延的方法实现了高迁移率lnN薄膜,室温下电子迁移率超过3000 cm2/Vs,InN......
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面赝势波方法，系统地研究了本征缺陷对闪锌矿和纤锌矿砷化镓纳米线电子结构的影响，并深入分析了......
紫外发光二极管的成功被认为是未来使半导体照明完全取代日光灯照明的重要保证，而氧化锌作为有希望在第三代半导体中脱颖而出的重要......
使用分子束外延方法在c面蓝宝石衬底上生长了系列氮掺杂ZnO薄膜样品。在连续的富锌气氛环境中生长的样品, 由于存在大量的施主缺陷......
采用基于密度泛函理论的第一性原理超软赝势方法的DMol3软件，对ZnO纳米线表面在非H钝化和H钝化两种情况，及N原子掺入位置不同的情况......
AIGaN薄膜是LED结构的重要组成部分.本文报告我们在AlGaN薄膜的MOCVD生长及p型掺杂研究的新结果.......
我们自行设计加工了ZnO生长专用MOCVD系统，该系统直接采用O2气为氧源，不引入其他元素，有利于n型、p型掺杂和载流子浓度的控制。为了克......
ZnO是一种性能优异的“低温蓝光工程”宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,但因本征施主缺陷和施主杂质引起的自补偿效应等使ZnO很难有效地实......
对p型掺杂1.3μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益进行了实验和理论分析.实验上,测量了不同腔长激光器阈值电流密度与总损耗......
氧化锌(ZnO)具有适合基于pn结的各种光电器件,例如紫外光子探测器、发光二极管和激光二极管等应用的理想性质。虽然多年来已可获得......
研究了氧化锌薄膜的制备方法,比较了各种制备方法的特点,衬底的作用和衬底的选取。分析了p型掺杂的方法和实现途径,并进行了理论上......
综述了近年来纳米氧化锌材料p型掺杂改性的研究现状,介绍了用于p型掺杂的单元素和共掺杂双元素以及所采用的主要掺杂方法,这些方法......
采用一种处于电容放电模式(E-mode)的温和氧气电容耦合等离子体技术对薄层MoS2进行处理,实现了P型掺杂.通过光学显微镜、拉曼光谱......
AlGaN基深紫外发光二极管(ultraviolet light emitting diodes,UV-LEDs)在消毒、医疗、水与空气净化、高密度存储等方面有着广阔的......
本文采用射频磁控溅射方法在石英和高阻硅衬底上制备纯茁-Ga2O3薄膜和不同掺杂浓度的Mg掺杂茁-Ga2O3薄膜,研究了薄膜的结构、光学......
基于透明器件广阔的应用前景,p型透明导电材料及器件应用成为该领域研究的热点,并在近年来取得了令人瞩目的进展。综述了p型ZnO基......
分别在空气、氮气和氧气气氛下,用CF3COOH作掺杂剂对三种低聚噻吩的p型掺杂行为进行了系统研究。结果发现三聚噻吩(a-Th3)在本试验......
钙钛矿太阳电池制备工艺简单,效率提升迅速,被认为是最具应用潜力的新一代光伏技术之一.近年来,大量研究表明,钙钛矿光电材料可以......
AlN基半导体在蓝光、紫外光发射及探测器件、高温大功率光电器件、显示器件、声表面波器件、光电子器件等方面显示出了广阔的应用......
ZnO基光电器件的巨大市场潜力激发了ZnO材料的研究热潮。实现ZnO高效、稳定、可控的p型掺杂并得到ZnO同质p-n结结构是目前制约ZnO......
氧化锌(ZnO)是一种重要的宽禁带半导体功能材料，室温下能带带隙为3.37eV，激子束缚能高达60meV，是室温热能的2.3倍(26meV)，因此ZnO中的......
随着经济的迅速发展，世界对能源的需求越来越多，能源问题已经是一个世界范围内的问题。传统能源由于种种缺陷且又不可持续，使研究新型......
氧化锌是一种多用途的宽禁带半导体材料。传统上，ZnO薄膜被广泛应用于声表面波器件、体声波器件、气敏传感器、压敏电阻、透明导电......
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料，属于六方纤锌矿结构。ZnO在光电、压电、热电、铁电等诸多领域都具有优异的性能，但是最具......
透明导电氧化物(TCO)薄膜因为其良好的光电性能,广泛应用于平面显示器、太阳能电池、节能视窗、透明电磁屏蔽等领域。但由于光电性......
第三代HgCdTe红外焦平面列阵技术向多光谱、大规模的发展过程中，分子束外延(MBE)技术面临扩大外延面积、精确控制原位掺杂等技术挑......
以大规模、多色、单光子、甚长波等为标志的第三代HgCdTe红外焦平面探测器在2000年后得到了迅速的发展，在军事、遥感、空间科学探测......
氧化锌（ZnO）是一种宽禁带直接带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,具有较大的激子束缚（60meV）,是制备下一代短波长发光二极......
GaN基宽禁带半导体材料具有优异的物理和化学性质，已被广泛用于全彩显示、信息指示和照明领域，成为当今半导体技术发展的热点。目前，G......
有机发光二极管(OLED)将成为平板显示和固态照明的主流技术,更高亮度,更高效率,更长寿命将成为我们的研究目标。通过掺杂技术......
过渡金属由于价层d轨道的特殊性导致其氧族化合物半导体材料体系具备多种特殊的物理性质:如铁电性，铁磁性，热电效应，磁电耦和，光电效应......
